高通发布QC4.0 快来看影响未来的快充技术
高通前不久曝光了骁龙835,号称将用上三星最新的10nm FinFET工艺,可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上,同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。
最新QC4.0技术曝光
然并卵,如今骁龙820性能都有点过剩了,再强的性能除了跑分高点还有啥用?所以,智趣狗今天就带着大家看看隐藏在骁龙835背后的快速充电技术:QC4.0。
按照高通的描述,QC4.0相较时下主流的QC3.0,新增了一项名为Dual Charge的技术,使充电速度可提升20%,效率则能提升30%。此外,QC4.0还对“INOV”(最佳电压智能协商,Intelligent Negotiation for Optimum Voltage,最早出现在QC3.0技术中)算法进行了优化,能更准确地测量电压、电流和温度的同时,保护电池、系统、线缆和连接器。防止电池过度充电,并在每个充电周期调节电流。
至于QC4.0充电有多快?高通的答案是在大约15分钟或更短时间内,充入高达50%的电池电量。请注意,这里高通并没有说明电池容量,如今主流的快充技术在满血充电的情况下,15分钟基本都能将2000mAh电池充到50%,这一点还需要后续观察。
USB-PD要大一统?
需要注意的是,高通QC4.0特别加入了对USB Type-C和USB-PD的支持。有意思的是,华为从Mate 9开始引入的SuperCharge超级快充技术同时也兼容USB-PD。大家不觉得奇怪吗?
USB PD很厉害哦,最大支持100W充电,哪怕给游戏本供电都毫无问题
其实这个答案很简单,。
所以,哪怕手机厂商或芯片厂依旧想推广自家的快充技术,同时兼容USB-PD自然就是谷歌的底线啦。
最后,咱们再来简单回顾一下时下主流的快充技术都有哪些吧。
简单来说,手机领域的快速充电技术大体可以分为两大类别:“低压+大电流”,“高压+低电流”。各个手机品牌的快充技术,都是基于这两个类别衍生而来。我们熟悉的高通QC(QuickCharge)、联发科PEP(PumpExpress Plus)、三星FastCharge和华为FCP(Fast Charger Protocol)都是“高压+低电流”快充方案的代表。
而OPPO VOOC、一加手机3的DASH、华为Mate 9特色的SuperCharge,则是“低压+大电流”的代表。
在充电功率相同的情况下,两种快充类别的充电速度差别不大,只是“低压+大电流”可以在边充电边玩手机的情况下,依旧能保证充电速度。而“高压+低电流”在边玩边充时,充电速度会有折扣。
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